Pesquisadores italianos desenvolvem um grafeno

Jun 22, 2023

Pesquisadores do ISOF-CNR da Itália, da Universidade de Nápoles "Federico II" e da Università di Modena e Reggio Emilia desenvolveram novos transistores FET tipo n orgânicos (OFETs) baseados em folhas de grafeno CVD. Os pesquisadores dizem que o novo processo e materiais usados ​​podem permitir OFETs flexíveis, transparentes e de canal curto - que podem ser usados ​​no futuro para telas OLED ou OLET (transistor orgânico emissor de luz).

Para criar os novos transistores, os pesquisadores usaram filmes finos evaporados termicamente de PDIF-CN2 (um derivado de diimida de perileno) como o semicondutor orgânico para o canal ativo do transistor com o grafeno CVD de camada única (criado no instituto IIT da Itália). como material do eletrodo. As arquiteturas finais do dispositivo foram fabricadas por meio de litografia de feixe de elétrons (EBL) e gravação de íons reativos (RIE).

Os pesquisadores explicam que esses novos OFETs aproveitam as excelentes propriedades mecânicas, ópticas e elétricas do grafeno. O grafeno agora está fechando a lacuna com materiais de eletrodo transparente mais comumente usados ​​(como ITO e outras alternativas à base de carbono) em termos de resistência e transparência da folha.

O próximo passo para o grupo de pesquisa é realizar dispositivos de alta frequência e obter operação em MHz para seus OFETs baseados em grafeno.